| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN201410823887.4 |
| 公开（公告）号 | CN104790039A | 公开（公告）日 | 2015-07-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 福州高意光学有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种用提拉法生长铽石榴石晶体的方法, 其特征在于，所生长的铽石榴石晶体的分子式表示为RE3x：Tb3(1-x)Ga5O12，或RE3x：Tb3(1-x)Sc2-yAl3+yO12，还包括如下步骤：步骤1：RE：TGG或RE：TSAG的配料；步骤2：RE：TGG或RE：TSAG的压制和烧结成型；步骤3：装炉与晶体生长。本发明在大量的晶体生长实验基础上，可获得Nd、Yb、Ho、Er、Tm、Pr掺杂的稀土TGG或TSAG及其纯基质单晶的提拉生长方法，可获得Φ10mm以上的大尺寸单晶。 | ||
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