| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201510231466.7 |
| 公开（公告）号 | CN104775153A | 公开（公告）日 | 2015-07-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西南应用磁学研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种新型磁光材料的生长技术和光纤通信领域，特别涉及一种液相外延法生长掺Bi稀土石榴石薄膜(ReBi)3Fe5O12的生长技术，包括如下步骤：(A)将纯度为将纯度99.99%以上的PbO、B2O3、Bi2O3、Fe2O3、Re2O3粉料按确定的比例混合均匀后装入铂坩埚中，再放入液相外延炉中；(B)对铂坩埚中的原材料进行加热并旋转，使之充分融化并且成分均匀。本发明的有益效果是：液相外延法生长掺Bi磁光薄膜，不但大大缩短的生长周期，并且厚度能达到几百微米，既能达到旋光率的要求，又便于加工，减小磁光器件的体积和重量，实现器件集成化。 | ||
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