| 申请日期 | 2026-03-10 | 申请号 | CN201380043629.8 |
| 公开（公告）号 | CN104781938A | 公开（公告）日 | 2015-07-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 帝维拉公司 | ||
| 简介 | 一种多层基底结构，其包括基底、形成于基底上的热匹配层以及在热匹配层之上的晶格匹配层。热匹配层包括钼、钼-铜、多铝红柱石、蓝宝石、石墨、铝-氮氧化物、硅、碳化硅、锌氧化物和稀土氧化物中的至少一个。晶格匹配层包括第一化学元素和第二化学元素以形成合金。第一化学元素和第二化学元素具有类似的晶体结构和化学性质。热匹配层的热膨胀系数以及晶格匹配层的晶格参数均约定于第III-V族化合物半导体的成员的热膨胀系数和晶格参数。晶格匹配层的晶格常数约等于第III-V族化合物半导体的成员的晶格常数。晶格匹配层和热匹配层可利用横向控制遮板来沉积在基底上。 | ||
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