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一种自激辐射吸收材料及其制备方法 发明授权

2023-08-21 2520 1397K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201310753337.5
公开(公告)号 CN103833348B 公开(公告)日 2015-07-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京雷生强式科技有限责任公司; 中国电子科技集团公司第十一研究所
简介 本发明公开了一种自激辐射吸收材料,属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为:Y3-x-y-zSmxScyLuzAl5O12,其中,0<x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y3+离子小的Sc3+和Lu3+离子取代Sm : YAG中部分Y3+离子,形成一种新的Sm : YLSAG材料,其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右,从而Sm : YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外,本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法,通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al2O3粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中,进行化学共沉淀反应得到沉淀物,并对该沉淀物进行固相反应烧结处理,制备得到本发明Sm : YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合,工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性,适于规模化工业生产。


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