| 申请日期 | 2025-07-26 | 申请号 | CN201180019734.9 |
| 公开（公告）号 | CN102859701B | 公开（公告）日 | 2015-06-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所; 三星显示有限公司 | ||
| 简介 | 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。 | ||
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