| 申请日期 | 2025-07-21 | 申请号 | CN202010016222.8 |
| 公开（公告）号 | CN111081444B | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 厦门钨业股份有限公司; 福建省长汀金龙稀土有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了R‑T‑B系烧结磁体及其制备方法。该R‑T‑B系烧结磁体包含：R、B、Ti、Ga、Al、Cu和T，其含量如下：R的含量为29.0～33％；B的含量为0.86～0.93％；Ti的含量为0.05～0.25％；Ga的含量为0.3～0.5％，但不为0.5％；Al的含量为0.6～1％，但不为0.6％；Cu的含量为0.36～0.55％；所述百分比为质量百分比。本发明通过采用低B技术，在不添加或少量添加重稀土的情况下，既提高了R‑T‑B系烧结磁体的剩磁性能，也保证了磁体的矫顽力和方形度。 | ||
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