| 申请日期 | 2025-07-22 | 申请号 | CN202111000404.7 |
| 公开（公告）号 | CN113697810A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 广东工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种非氧化物Y3Si2C2烧结助剂、高性能氮化硅陶瓷基板及其制备方法，涉及氮化硅陶瓷制备技术领域。本发明提供的非氧化物Y3Si2C2烧结助剂的制备方法，以碳化硅和金属钇为主原料，辅以氯化钠，氯化钾，通过熔盐法制备，在常规固相反应中引入低熔点盐作为助熔剂来合成非氧化物Y3Si2C2的一种新的合成方法；可以获得一种非氧化物Y3Si2C2烧结助剂。本发明提供的高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法，以非氧化物Y3Si2C2和稀土氧化物作为烧结助剂，其加入有助于降低氧化物烧结助剂中氧杂质的引入，促进烧结致密；选用的烧结助剂可与氧杂质反应，净化晶格，有效提高热导率。 | ||
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