申请日期 | 2025-07-01 | 申请号 | CN201510056948.3 |
公开(公告)号 | CN104681682A | 公开(公告)日 | 2015-06-03 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 浙江大学 | ||
简介 | 本发明公开了一种基于稀土铒掺杂CeO2薄膜的电致发光器件,包括硅衬底,硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层,硅衬底背面设有欧姆接触电极,所述的发光层为掺杂稀土铒的CeO2薄膜。本发明还公开了该电致发光器件的制备方法和发光方法。本发明的电致发光器件在较低(<10V)的正向或反向直流偏压(透明电极层接正电压时即为正向偏压,透明电极层接负电压时即为反向偏压)下均可得到位于可见区和红外区的铒离子的特征发光。 |
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