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一种基于铒掺杂CeO2薄膜的电致发光器件及其制备方法 发明申请

2023-05-23 3000 594K 0

专利信息

申请日期 2025-07-01 申请号 CN201510056948.3
公开(公告)号 CN104681682A 公开(公告)日 2015-06-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 浙江大学
简介 本发明公开了一种基于稀土铒掺杂CeO2薄膜的电致发光器件,包括硅衬底,硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层,硅衬底背面设有欧姆接触电极,所述的发光层为掺杂稀土铒的CeO2薄膜。本发明还公开了该电致发光器件的制备方法和发光方法。本发明的电致发光器件在较低(<10V)的正向或反向直流偏压(透明电极层接正电压时即为正向偏压,透明电极层接负电压时即为反向偏压)下均可得到位于可见区和红外区的铒离子的特征发光。


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