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The method of manufacturing the perovskite type manganese oxide thin film 发明授权

2023-01-30 2600 203K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 JP2012547785
公开(公告)号 JP5725036B2 公开(公告)日 2015-05-27
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Fuji Electric Co Ltd5234
简介 An object of the present invention is to provide a perovskite manganese oxide thin film that (1) allows a first order phase transition and (2) has A-site ordering. One aspect of the present invention provides a perovskite manganese oxide thin film 2 formed on a substrate 1, containing Ba and a rare earth element in the A sites, and having an (m10) orientation (m = 2n; 9 ‰¥ n ‰¥ 1).


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