| 申请日期 | 2026-04-24 | 申请号 | CN202010431385.2 |
| 公开（公告）号 | CN113707525A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明适用于半导体技术领域，公开了一种用于等离子体反应装置中的零部件、零部件本体表面形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。等离子体反应装置包括内部为等离子体环境的反应腔，零部件暴露于等离子体环境中，零部件包括：零部件本体；涂覆于零部件本体表面的耐等离子体涂层，耐等离子体涂层为稀土金属化合物，稀土金属化合物包括稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种，稀土金属化合物中的稀土元素的原子半径小于钇的原子半径，且稀土金属化合物中的稀土元素的相对原子质量大于钇的相对原子质量。本发明提供的零部件，在先进等离子体刻蚀制程中，减少微小颗粒的产生，满足先进制程的要求。 | ||
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