申请日期 | 2025-09-12 | 申请号 | CN202010432447.1 |
公开(公告)号 | CN113707526A | 公开(公告)日 | 2021-11-26 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | ||
简介 | 本发明适用于半导体技术领域,公开了一种用于等离子体反应装置中的零部件、零部件形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。一种用于等离子体反应装置中的零部件,等离子体反应装置包括反应腔,反应腔内为等离子体环境,零部件暴露于等离子体环境中,零部件包括:非氧化物基底;耐等离子体涂层,耐等离子体涂层涂覆于非氧化物基底表面,耐等离子体涂层为稀土金属化合物,耐等离子体涂层和非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。本发明提供的零部件,在非氧化物基底与耐等离子体涂层之间的界面通过饱和的化学键实现过渡,降低耐等离子体涂层脱落的风险,提高耐等离子体涂层的服役寿命。 |
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