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一种AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法 发明申请

2023-09-01 4220 2261K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN201510033234.0
公开(公告)号 CN104630668A 公开(公告)日 2015-05-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 华东交通大学
简介 本发明涉及一种AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法。该AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法包括以下步骤:(1)、将AZ91D镁合金熔化;(2)、当温度达到700℃时,加入质量分数为0%-2.0%的稀土钆,保温15min,将熔体浇注成铸态棒料以获得AZ91-XGd合金;(3)、将AZ91-XGd合金进行等温处理,等温温度为570℃~585℃,等温时间为15min~45min之间,促使坯料组织演变为球状组织,从而得到AZ91-XGd合金半固态坯料。针对上述现有技术,本发明提供一种工艺简单,安全可靠,球状晶粒组织细小,圆整度较好,完全满足其后续触变成形的要求的AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法。


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