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一种稀土离子激活的纳米六氟硅钡强近紫外发射荧光体及制备方法 发明申请

2023-05-26 2290 577K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN201410825501.3
公开(公告)号 CN104560032A 公开(公告)日 2015-04-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 大连民族学院
简介 一种稀土离子激活的紫外激发近紫外发射的纳米六氟硅钡荧光体及制备方法。本发明六氟硅钡荧光体的化学表达式为Ba1-xSiF6 : x Eu2+。本发明的制备方法是,称取一定量氟硅酸、EuCl2、Ba(CH3COO)2,在油酸和1-十八烯混合溶液中先制备前驱体,然后加入氟化氢铵的甲醇溶液,在氮气保护下,经升温蒸甲醇再升温到300-320℃高温热分解,最后经洗涤干燥研磨制得。本发明的制备方法较复杂,合成的六氟硅钡荧光体具有紫外激发近紫外发射、峰形尖锐、峰位固定以及发光强的优点,是应用在荧光光谱仪校准以及近紫外激光器上的理想荧光材料。


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