| 申请日期 | 2025-09-13 | 申请号 | CN201420861129.7 |
| 公开（公告）号 | CN204289526U | 公开（公告）日 | 2015-04-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 天际(吉安)光电信息有限公司 | ||
| 简介 | 本实用新型公开了一种发光二极管，其结构包括p型GaN层(1)、InGaN多量子阱有源发光层(2)、n型GaN层(3)、缓冲层(4)、衬底(5)以及散热片(6)；所述的p型GaN层(1)依次与InGaN多量子阱有源发光层(2)、n型GaN层(3)、缓冲层(4)、衬底(5)以及散热片(6)连接；所述的发光二极管还包括：一稀土荧光光子晶体层(7)，设在p型GaN层(1)之上；用于生成白光的混光材料和光的输运介质；多层石墨烯导热层(8)，设在散热片(6)与衬底(5)之间；用于热量的导出。上述发光二极管结构出光效率高且导热性能好。 | ||
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