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高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法 发明申请

2023-02-26 3970 347K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN201410505061.3
公开(公告)号 CN104291811A 公开(公告)日 2015-01-21
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 天津大学
简介 本发明公开了一种高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法,先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量百分比3 : 15 : 10配料,烘干、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末;该粉末与BaTiO3和Nb2O5按质量比0.5~1.5 : 3~6 : 0.1~2配料,再经球磨、烘干后制得熔块;熔块按100g计,外加2~8g ZnO, 1~6g Bi2O3,及0.2~1.0g的稀土氧化物RE2O3配料(RE为镧La、镨Pr、钕Nd、铽Tb、钬Ho、铒Er或者钐Sm中的一种或者几种),球磨、烘干、造粒后压制成生坯;生坯于1100~1150℃烧结,烧渗制备电极,得到高介电常数超宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质。本发明工作温度范围超宽(-55℃~375℃),介电常数较高(>2300),容量变化率较小(<±15%),中温烧结(<1150℃),具有良好的应用前景。


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