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一种浸渍型Re3W-Sc2O3混合基阴极材料及其制备方法 发明申请

2023-01-15 1780 361K 0

专利信息

申请日期 2025-08-16 申请号 CN201410506057.9
公开(公告)号 CN104299869A 公开(公告)日 2015-01-21
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京工业大学
简介 一种浸渍型Re3W-Sc2O3混合基阴极材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。以Re3W取代W,制备Re3W-Sc2O3混合基阴极,其中稀土氧化物Sc2O3约占总质量的3-8wt%,浸渍阴极发射活性盐为“411盐”焙烧物,最终制得铝酸钡钙盐中氧化钡、氧化钙、氧化铝的摩尔比为4 : 1 : 1。本发明制备的材料具有优异的脉冲电子发射性能。


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