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稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 发明授权

2023-05-03 4070 598K 0

专利信息

申请日期 2025-07-10 申请号 CN201210114614.3
公开(公告)号 CN102605425B 公开(公告)日 2014-12-24
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
简介 本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法,其化学式为RE3+ : PbClF,其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。


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