| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201210175345.1 |
| 公开（公告）号 | CN102683385B | 公开（公告）日 | 2014-12-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的稀土氧化物层；和形成在所述稀土氧化物层上的沟道区以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在源漏区和沟道区下方形成稀土氧化物，以对CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力，从而显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地简化了工艺流程。 | ||
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