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Single crystal cubic second and third manufacturing method of using the same 发明授权

2023-02-27 2030 837K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 JP2012537437
公开(公告)号 JP5647256B2 公开(公告)日 2014-12-24
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Centre de la Rusherushu Suiantifiku Nasuionaru506369944
简介 A method is provided for preparing solid or thin-film single-crystals of cubic sesquioxides (space group no. 206, Ia-3) of scandium, yttrium or rare earth elements doped with lanthanide ions with valence +III, using a high-temperature flux growth technique, and to the various uses of the single-crystals obtained according to said method, in particular in the field of optics.


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