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一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制造方法 发明授权

2023-10-27 1130 538K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201210322367.6
公开(公告)号 CN102826853B 公开(公告)日 2014-12-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 福建华清电子材料科技有限公司
简介 本发明涉及一种陶瓷基板,提供一种弯曲强度高、热导率高的高强度氮化铝陶瓷基板,同时提供一种所述高强度氮化铝陶瓷基板的制造方法。所述高强度氮化铝陶瓷基板,由流延浆料经流延成型和高温烧结而成,所述流延浆料的各组分及其含量为:氮化铝粉体95~105重量份;稀土氧化物4~8重量份;含硅氧化物0.05~0.5重量份;溶剂40~45重量份;分散剂1~3重量份;粘结剂8~12重量份;增塑剂3~7重量份。


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