| 申请日期 | 2025-08-04 | 申请号 | CN201080039361.7 |
| 公开（公告）号 | CN102482160B | 公开（公告）日 | 2014-12-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3中的部分Ba被Bi-Na取代，当降低常温电阻率时该组合物显示出了优异的跃升特性，并可降低常温电阻率，电阻率随时间变化较小。提供一种半导体陶瓷组合物，该组合物可用如下通式表示[(Biθ-Naδ)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3(R是至少一种稀土元素)，其中，x、y、θ和δ分别满足0＜x≤0.3，0＜y≤0.02，0.46＜θ≤0.62，0.45≤δ≤0.60，Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na≤1.20。一种半导体陶瓷组合物的制备方法，方法之一是在制备(BaR)TiO3煅烧粉末时，按如下方式称量，Bi/Na摩尔比为1.05至1.24使得Bi在Bi原料粉末中的量高于Na在Na原料粉末中的量，方法之二是在制备混合的煅烧粉末时，添加Bi原料粉末来调节Bi/Na的摩尔比为1.04至1.23，使得Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na＜1.20。 | ||
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