| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN202010757838.0 |
| 公开（公告）号 | CN111947804B | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 重庆邮电大学 | ||
| 简介 | 本发明请求保护一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法，本发明涉及一种基于电荷迁移带反常热猝灭的荧光强度比测温方法。本发明的目的是为了解决传统的基于稀土离子热耦合能级荧光强度比测温灵敏度较低的问题，方法：(1)以Eu3+ : NaLaCaWO6为感温材料；(2)在298K至528K温度区间内，荧光强度比I308/I354随温度的升高逐渐增大，且与温度T存在单调的函数关系，该强度比和温度之间的函数关系即为测温曲线，则可以通过监测荧光强度比值来实现测温的目的。本发明的测温方法所得测温灵敏度在298K处可达2.23％K‑1。与传统测温方法相比，在298K处灵敏度提高了4.37倍。本发明的测温方法具有较高灵敏度。本发明应用于稀土荧光测温领域。 | ||
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