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一种高电位梯度二氧化锡压敏电阻材料及制备方法 发明申请

2023-08-08 4280 886K 0

专利信息

申请日期 2025-08-03 申请号 CN201410445860.6
公开(公告)号 CN104193319A 公开(公告)日 2014-12-10
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院新疆理化技术研究所
简介 本发明涉及一种高电位梯度二氧化锡压敏电阻材料及制备方法,该材料各组分是由SnO2 、Co2O3、Nb2O5、Pr6O11和Y2O3制成,采用高能球磨技术,通过在SnO2中添加稀土氧化物Co2O3、Nb2O5、Pr6O11、Y2O3,优化材料配比,在高温下烧结,提高了二氧化锡压敏电阻材料的电位梯度,降低了漏电流密度,明显改善了其电学性能。本发明所述方法获得的二氧化锡压敏电阻产品具有电学性能好,致密度高,材料密度为4.40~6.54g/cm3;压敏电位梯度为1010.24~1476.81V/mm;漏电流为0.82~2.6μA/cm2,综合电学性能优异的特点。本发明工艺简化,省去了传统的预烧及造粒工序,对设备要求低,传统设备即可满足要求,可用于各类大型设备的电源保护,家庭楼宇的防雷等场所。


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