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一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法 发明申请

2023-12-05 4560 763K 0

专利信息

申请日期 2025-07-28 申请号 CN201410318834.7
公开(公告)号 CN104163633A 公开(公告)日 2014-11-26
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 广东工业大学
简介 本发明公开了一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法,本发明以Si粉为原料,以ZrO2粉为氮化催化剂,以ZrO2-MgO-Re2O3为烧结助剂,其中Re2O3为稀土氧化物,Si、ZrO2和MgO-Re2O3按质量分数比经混料、干燥后得到Si-ZrO2-MgO-Re2O3混合粉体;混合粉体通过两步保温法,无压烧结获得高导热Si3N4陶瓷;该方法所制备的陶瓷材料的相对密度高于95%,硬度为8~20GPa,断裂韧性为3~8MPa·m1/2,抗弯强度为200~1000Mpa,热导率为20~100W·m-1·K-1;本发明通过引入ZrO2催化剂加快Si粉氮化,引入ZrO2-MgO-Re2O3改善Si3N4致密化,实现了低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷。


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