| 申请日期 | 2025-08-19 | 申请号 | CN201410391765.2 |
| 公开（公告）号 | CN104168682A | 公开（公告）日 | 2014-11-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种发光元件、发光装置、电子设备及照明装置，其中，所述发光元件包括：阳极与阴极之间的EL层；阴极与EL层之间的第一层，第一层含有具有空穴传输性的物质以及相对于具有空穴传输性的物质的受主物质；阴极与EL层之间的第二层；以及阴极与EL层之间的第三层，第三层含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种，其中，第一层设置在阴极与第二层之间并接触于阴极及第二层，第二层设置在第一层与第三层之间并接触于第一层及第三层，并且，第三层设置在第二层与EL层之间并接触于第二层及EL层，其特征在于，第二层含有酞菁类材料。 | ||
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