| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | TW101132066 |
| 公开（公告）号 | TWI461384B | 公开（公告）日 | 2014-11-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 村田制作所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种於室温附近之比电阻较低且耐电压较高之具有正电阻温度特性的钛酸钡系陶瓷及使用其之PTC热阻器。该钛酸钡系半导体陶瓷系通式：BaTiO3所表示之具有正电阻温度特性者，以Zr取代Ti位之一部分，且将Zr之含有比率设为0.14~0.88 mol%之范围。其系设为含有选自由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu所组成之群中之至少一种稀土元素的组成。将上述钛酸钡系半导体陶瓷用作具有正电阻温度特性之热阻器坯体而构成PTC热阻器。 | ||
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