| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201410383758.8 |
| 公开（公告）号 | CN104141086A | 公开（公告）日 | 2014-11-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 邢大伟 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分，其由以下合金元素组合而成(质量百分比)：硅铝合金：85～95％，磷：0.3～0.9％，锶：0.3～0.9％，硼：0.1～1.5％，镁：1.0～3.5％，铜：1.0～5.0％，铌：0.5～5.0％，钼：0.5～5.0％，稀土：0.02～0.2％。本发明针对熔炼铸造法设计了的合金成分配方，以该成分配方，再辅以加压成型铸造工艺，就可以获得合格的硅铝合金电子封装材料。相比于现有方法，本发明最大的优势和优点有两点：一是工艺简化，成型效率高；二是成本大大降低，对应于相同的产量，本发明成本只相当于喷射成型方案的三分之一以下。 | ||
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