| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201310149226.3 |
| 公开（公告）号 | CN104124316A | 公开（公告）日 | 2014-10-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 浙江大学 | ||
| 简介 | 本发明公开一种无机电致发光器件，包括：衬底、依次沉积在衬底正面的发光层、第一势垒层和透明电极层、以及沉积在衬底背面的欧姆接触电极；衬底与发光层之间还可沉积有第二势垒层；所述的发光层为掺杂稀土的氧化物薄膜，第一势垒层和第二势垒层为禁带宽度大于发光层0.2～1eV的氧化物薄膜。本发明还提供了上述发光器件的制备方法。该发光器件在较低的直流偏压下会在掺入稀土的特征区域发光；发光强度随着注入电流的增大而增加。本发明提供一种结构简单、制造方便、成本低廉、光谱范围宽、波段易于控制、不易老化的无机电致发光器件，可与微电子器件结合形成硅基光电器件，在激光器、照明、显示屏幕、光纤通讯以及光电检测等领域具有良好的应用前景。 | ||
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