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Fe3O4/SiO2@Gd2O3 : Eu, Bi磁性-荧光纳米材料的制备方法和应用 发明授权

2023-07-26 3380 1149K 0

专利信息

申请日期 2025-08-18 申请号 CN201210239599.5
公开(公告)号 CN102757786B 公开(公告)日 2014-10-22
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 陕西师范大学
简介 本发明涉及一种Fe3O4/SiO2@Gd2O3 : Eu, Bi磁性-荧光纳米材料的制备方法及应用,通过CTAB修饰的Fe3O4/SiO2复合纳米粒子为核,钆、铕、铋的稀土荧光材料为壳层材料,制备成Fe3O4/SiO2@Gd2O3 : Eu, Bi磁性-荧光纳米材料,制备方法简单易行,所制备的磁性-荧光纳米材料性质稳定,易于保存;此外该磁性-荧光材料能够与指纹残留物作用,在紫外灯下可清晰地将指纹显现出来,且使用量小、灵敏度高、能照相记录,可大大提高指纹显现的成功率,特别是搜索大范围内的指纹,因此可以在显现皮肤、玻璃、陶瓷或者墙皮等基质上的指纹的方法中应用。


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