| 申请日期 | 2025-07-01 | 申请号 | CN201380008046.1 |
| 公开（公告）号 | CN104114305A | 公开（公告）日 | 2014-10-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中央电气工业株式会社 | ||
| 简介 | R-T-B-Ga系磁体用原料合金(其中，R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T是以Fe为必须的1种以上过渡元素)中，包含作为主相的R2T14B相3和浓缩有R的富R相(1和2)，通过使富R相内的非晶相1中的Ga含有率(质量％)高于富R相内的结晶相2中的Ga含有率(质量％)，在作为原料使用的稀土磁体中，能够提高磁特性同时能够降低磁特性的偏差。为了抑制激冷晶体的形成和α-Fe的结晶，优选的是，R-T-B-Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。 | ||
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