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氧化物超导导体及其制造方法 发明授权

2023-11-29 3860 1148K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN201180018194.2
公开(公告)号 CN102834879B 公开(公告)日 2014-10-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社藤仓
简介 本发明的氧化物超导导体具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层,该氧化物超导层由以RE1Ba2Cu3Oy(式中,RE表示稀土类元素,并满足6.5<y<7.1)的组成式表示的氧化物超导体构成。在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相,上述常导相含有Ba,上述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属。上述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种和Ba的氧化物。


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