| 申请日期 | 2025-07-20 | 申请号 | CN201410373375.2 |
| 公开（公告）号 | CN104103470A | 公开（公告）日 | 2014-10-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明属于阴极场发射技术领域，具体是提供一种结构稳定的多晶六硼化物环形场发射阴极及其制备方法。该场发射阴极呈同心圆环状阵列分布，其横截面为间隔分布的尖锥状突起，其材料为稀土金属或碱土金属与硼形成的具有CaB6型晶体结构的多晶六硼化物。与传统尖锥场发射阴极相比，本发明的结构牢固，有效避免了尖锥型场发射体与衬底之间接触不牢的缺点；此外，通过选择合适的掩膜材料和相应的电化学刻蚀电解液成分，通过调整各项工艺参数，制作出一种电子发射性能优良的大面积多晶六硼化物环形场发射阴极，制备方法简单易行，有效场发射面积更大，能够提供数千安培至数十千安培的发射电流，有效提高制备效率。 | ||
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