| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN201910965484.6 |
| 公开（公告）号 | CN110724909B | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种低阻尼大自旋霍尔角的稀土基合金材料及其制备方法，属于自旋电子学新材料技术领域。该材料为铜铽合金薄膜，其组分为Cu1‑xTbx，0.05＜x≤0.47，晶体结构为非晶。本发明通过调控铽元素的比例，可以调节材料的自旋霍尔角与自旋混合电导，使得体系同时具有高的自旋霍尔角度与较低的磁阻尼，可以满足高效低能耗的新型自旋电子学器件的使用需求。 | ||
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