| 申请日期 | 2026-04-24 | 申请号 | CN201410360169.8 |
| 公开（公告）号 | CN104091885A | 公开（公告）日 | 2014-10-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 哈尔滨理工大学 | ||
| 简介 | 一种掺杂稀土元素的镧锶锰氧系亚锰酸盐磁电阻材料的制备方法，涉及一种磁电阻材料的制备方法。本发明是要解决目前镧锶锰氧系亚锰酸盐磁电阻材料在La位的掺杂替代的材料磁场灵敏度较低，即产生磁电阻效应所需加外磁场较高，一般为几个特斯拉以及磁电阻效应只发生在金属-绝缘体转变温度附近较窄温区范围内的技术问题。本发明方法：一、称取原料；二、煅烧。本发明制备的磁电阻材料磁场灵敏度较高，在磁场较低时即可产生磁电阻效应，与现有的La位掺杂替代的LaSrMnO系相比磁场降低了一个数量级；本发明的磁电阻材料的磁电阻效应可以发生在金属-绝缘体转变温度较宽的温区范围内。本发明应用于制备磁电阻材料。 | ||
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