| 申请日期 | 2025-07-06 | 申请号 | CN201380007803.3 |
| 公开（公告）号 | CN104093865A | 公开（公告）日 | 2014-10-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | ||
| 简介 | 本发明提供一种Ag合金膜，其表现出与纯Ag膜几乎相同水平的低电阻率，且与以往的Ag合金膜相比耐久性(具体而言，耐盐水性、耐卤素性)及与基板的密合性优异，此外，在通过溅射法使上述Ag合金膜成膜时，溅射时的成膜速度与纯Ag一样快。本发明的上述Ag合金膜用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极，含有选自由Pd、Au及Pt组成的组中的至少1种元素0.1～1.5原子％、和选自由稀土元素的至少1种、Bi及Zn组成的组中的至少1种元素0.02～1.5原子％，余量包含Ag及不可避免的杂质。 | ||
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