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Ce : Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的无压烧结制备方法 发明授权

2023-06-30 1200 2990K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201210007992.1
公开(公告)号 CN102557598B 公开(公告)日 2014-10-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海大学
简介 本发明涉及一种采用无压烧结工艺制备Ce : Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的方法,属稀土掺杂多晶闪烁光学陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶法低温合成单相亚微米级Ce : Lu2SiO5陶瓷粉体,将上述粉体经干压、等静压成型后在流动的H2气氛条件下于1600-1800℃进行无压烧结获得Ce : Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷。获得材料的相对密度达到理论密度的98.5%以上,在X射线激发下表现良好的发光行为,主发射峰位于440nm处。


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