| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN201410285140.8 |
| 公开（公告）号 | CN104076530A | 公开（公告）日 | 2014-10-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 绍兴文理学院 | ||
| 简介 | 本发明提供一种一维光子晶体选择性辐射器，包括基体材料和交替沉积在基体材料上的多个周期的铒掺杂二氧化硅薄膜和硅薄膜两种介质材料。其中，基体材料为硅。沉积在基体材料上的第一层薄膜是铒掺杂二氧化硅薄膜。本发明将稀土铒离子的特征辐射与光子晶体的光谱调控特性相结合，获得性能优异的选择性辐射特性，大幅提高TPV及STPV系统的光电转换效率。且还具有结构简单，制备方法成熟等优点。 | ||
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