| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201410086934.1 |
| 公开（公告）号 | CN104051103A | 公开（公告）日 | 2014-09-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 户田工业株式会社 | ||
| 简介 | 本发明的目的在于，通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相，获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。本发明中，通过对HDDR处理所得到的、含Al的R-T-B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，能够促进富R晶界相的形成，得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。 | ||
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