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介电质陶瓷及积层陶瓷电容 发明授权

2023-03-02 3640 779K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 TW096144886
公开(公告)号 TWI452586B 公开(公告)日 2014-09-11
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 村田制作所股份有限公司
简介 本发明提供一种介电质陶瓷,其可获得500以上介电常数ε,且能确保大於90 kV/mm之绝缘破坏电压,且可用於构成中高压用途之积层陶瓷电容的介电质陶瓷层。; 作为构成积层陶瓷电容(1)之介电质陶瓷层(3)之介电质陶瓷,其采用以(Ba1-xCax)mTiO3(0.30≦x≦0.50、0.950≦m≦1.025)为主要成分者。该介电质陶瓷最好更对於主要成分100莫耳份包含1~14莫耳份稀土族元素,并分别对於主要成分100莫耳份包含0.1~3.0莫耳份、0.5~5.0莫耳份及1.0~5.0莫耳份Mn、Mg及Si。


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