| 申请日期 | 2025-08-18 | 申请号 | CN201911268308.3 |
| 公开（公告）号 | CN110820045B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海应用技术大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y(2.9‑x)RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长‑补充溶质‑再生长‑再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。 | ||
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