| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201380004680.8 |
| 公开（公告）号 | CN104040654A | 公开（公告）日 | 2014-09-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括：准备R-T-B系烧结磁石体的工序，上述R-T-B系烧结磁石体由稀土元素的含量定义的R量为31质量％以上、37质量％以下；准备RH扩散源的工序，上述RH扩散源含有重稀土元素RH和30质量％以上、80质量％以下的Fe，重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少一种；使上述烧结磁石体和上述RH扩散源能够相对移动并且能够接近或者接触地装入处理室内的工序；和一边使上述烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续或者间断地移动，一边将上述烧结磁石体和上述RH扩散源加热到700℃以上、1000℃以下的处理温度的RH扩散工序。 | ||
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