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一种R-T-B磁体材料及其制备方法和应用 发明授权

2023-03-13 1480 914K 0

专利信息

申请日期 2025-09-12 申请号 CN202010077816.X
公开(公告)号 CN111210987B 公开(公告)日 2021-11-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 厦门钨业股份有限公司; 福建省长汀金龙稀土有限公司
简介 本发明公开了一种R‑T‑B磁体材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B磁体材料的制备方法包括以下步骤:将R‑T‑B磁体材料的烧结体,在气体氛围中经氢气活化处理,再进行晶界扩散即可;气体氛围包括惰性气体和氢气的混合气体;氢气活化处理的温度为100~300℃,时间在10min以上;氢气质量体积浓度与烧结体的质量体积浓度的比值为0.01~0.1%;氢气与惰性气体的体积比为0.1~5%。本发明的R‑T‑B磁体材料的耐高温抗退磁性能、矫顽力均较佳;在熔炼时可不加重稀土元素或大量的钴元素,成本较低;可不进行晶粒细化,生产难度小;可得取向方向的长在1mm以内的R‑T‑B磁体材料且磁性能较佳的磁体材料。


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