| 申请日期 | 2025-07-26 | 申请号 | CN201410193630.5 |
| 公开（公告）号 | CN103993348A | 公开（公告）日 | 2014-08-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a, b, c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
