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R-T-B系永久磁体及其制造方法 发明申请

2023-12-17 2910 1665K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN202080019921.6
公开(公告)号 CN113614864A 公开(公告)日 2021-11-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 本发明获得提高了磁特性的R-T-B系永久磁体。R-T-B系永久磁体中,R为将Nd或Pr作为必须的1种以上的稀土元素,T为将Fe作为必须的1种以上的铁族元素,B为硼,R-T-B系永久磁体包含M,该M为Ga、Al、Cu和Si中的至少1种以上。R-T-B系永久磁体包含由R2T14B结晶构成的主相颗粒和存在于相邻的两个主相颗粒之间的二颗粒晶界。二颗粒晶界的平均厚度为5nm以上50nm以下。任意截面中的R6T13M化合物的面积比率为0.50%以下(包含0%)。


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