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具有填充方钴矿晶体结构的热电材料 发明授权

2023-05-03 3610 487K 0

专利信息

申请日期 2025-07-12 申请号 CN201010170242.7
公开(公告)号 CN101921928B 公开(公告)日 2014-08-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 通用汽车环球科技运作公司; 中国科学院上海陶瓷研究所
简介 一种热电材料,其包括分子式为GyM4X12的填充方钴矿晶体结构,其中i)G包括至少两种稀土元素和一种碱土元素;ii)M是钴、铑或者铱,以及iii)X是锑、磷或砷。下标“y”指的是晶体结构的填充率,其范围是约0.001至约0.5。


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