| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | TW099109213 |
| 公开（公告）号 | TWI449132B | 公开（公告）日 | 2014-08-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 瑞萨电子股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体装置之制造方法，使包含高介电系数闸极绝缘膜及金属闸极电极之CMISFET之生产率及性能得到提高。於半导体基板1之主面形成闸极绝缘膜用之含Hf之绝缘膜5，并於其上形成氮化金属膜7，藉由以氮化金属膜7上之光阻剂图案为掩模之湿式蚀刻，选择性地去除作为n通道型MISFET形成预定区域的nMIS形成区域1A之氮化金属膜7。然後，形成含有稀土类元素之临界值调整层8，并进行热处理，使nMIS形成区域1A之含Hf之绝缘膜5与临界值调整层8发生反应，但是作为p通道型MISFET形成预定区域的pMIS形成区域1B之含Hf之绝缘膜5，则因存在氮化金属膜7，故而不与临界值调整层8发生反应。其後，去除未反应之临界值调整层8及氮化金属膜7後，於nMIS形成区域1A及pMIS形成区域1B形成金属闸极电极。 | ||
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