| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201410176882.7 |
| 公开（公告）号 | CN103964842A | 公开（公告）日 | 2014-08-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高介电常数高温度稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法。其组成包含基质成分和掺杂成分，基质成分为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3-(1-x)BaTiO3，x＝0.18；掺杂的Bi2O3占基质成分质量分数的10％～20％，Nb2O5占基质成分质量分数的2％～3％。通过掺杂Nb2O5和Bi2O3使Bi(Zn2/3Nb1/3)O3-BaTiO3体系电容器陶瓷材料烧结温度不超过1050℃，介温谱在-35～200℃容温变化率在±250ppm之间，介电常数保持在650以上，增大了材料的介电常数同时保持了高的温度稳定性，具有较小的电容温度系数。且相比于其他含稀土类的的体系，其成本已经相当低廉。 | ||
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