| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201280053002.6 |
| 公开（公告）号 | CN103906722A | 公开（公告）日 | 2014-07-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | ||
| 简介 | 本发明提供一种室温附近的比电阻低且耐电压高的、具有正电阻温度特性的钛酸钡系陶瓷及使用其的PTC热敏电阻。该钛酸钡系陶瓷是以通式BaTiO3表示且具有正电阻温度特性的钛酸钡系半导体陶瓷，其中，将部分Ti位以Zr置换，且将Zr的含有比率设为0.14～0.88mol％的范围。所述钛酸钡系半导体陶瓷设为含有选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种稀土元素的组成。使用上述钛酸钡系半导体陶瓷作为具有正电阻温度特性的热敏电阻基体而构成PTC热敏电阻。 | ||
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