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积层构造体、半导体制造装置用构件及积层构造体的制造方法 发明申请

2023-10-19 2630 4567K 0

专利信息

申请日期 2025-07-14 申请号 TW102131945
公开(公告)号 TW201425263A 公开(公告)日 2014-07-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 日本碍子股份有限公司
简介 积层构造体10系包括:第1构造体12、第2构造体14和反应层15,第1构造体12系以镁-铝氧氮化物,来作为主相,第2构造体14系以氮化铝,来作为主相,包含具有石榴红型之结晶构造之稀土类铝复合氧化物之粒界相,反应层15系存在於第1构造体12和第2构造体14之间,成为稀土类铝复合氧化物之粒界相18之稀薄之氮化铝层。该积层构造体10系反应层15之厚度为150μm以下。此外,积层构造体10系第1构造体12和第2构造体14之线热膨胀系数之差异为0.3ppm/K以下。积层构造体10系藉由在第2构造体14之烧成时,粒界相18扩散至第1构造体12部分,而以该粒界相18成为稀薄之扩散界面17,来形成反应层15。


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