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一种改进的微电子封装用低银Sn-Ag-Cu焊料及其制备方法 发明申请

2023-09-14 1570 2880K 0

专利信息

申请日期 2025-08-24 申请号 CN201910459372.3
公开(公告)号 CN110102931A 公开(公告)日 2019-08-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 华南理工大学
简介 本发明公开了一种改进的微电子封装用低银Sn‑Ag‑Cu焊料及其制备方法,所述焊料按质量百分数计包括以下组分:Ag:0.3~1.0%,Cu:0.5~1.0%,Nb:0.05~0.5%,Sn:97.5~99.07%。本发明焊料合金的优点是在保持低银Sn‑Ag‑Cu焊料合金良好抗跌落性能的前提下微量添加Nb元素,阻碍位错运动,改善焊料常温力学性能,大幅提高蠕变抗力;添加Zr元素,能与Nb元素协同作用,促进Nb的进一步弥散分布,同时细化合金组织,提高焊料的强度和硬度;稀土元素Yb的添加能提高液态焊料的流动性,提高润湿性能,提高钎料的抗蠕变性能。


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